移动DRAM用 MEMS探针卡

【产品名称】：移动DRAM用 MEMS探针卡

【材料】：镍合金

【针头形状】：圆形

【可接受最小Pad间距】：>600um

【DUT Parellel】：System LSI。SOC超过2个Para

                              Nand Flash 300mm One-Touch Down

【测试频率】：>70Mhz

【最大电压】：150VDC

【最大电流】：800mA（推荐）

【维氏硬度】：500~550

【压力(g/mm²)】：2.5g（Standard）

                            Adjustable by customer needs

【对位精度】：±4um

【针尖长度】：250±20um

【工作温度】：-20°C~130°C

【最大OD】：100um

【产品图片】：

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