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移动DRAM用 MEMS探针卡

此薄膜探针可用于DRAM测试,Nand Flash测试

【产品名称】:移动DRAM用 MEMS探针卡

【材料】:镍合金

【针头形状】:圆形

【可接受最小Pad间距】:>600um

【DUT Parellel】:System LSI。SOC超过2个Para

                              Nand Flash 300mm One-Touch Down

【测试频率】:>70Mhz

【最大电压】:150VDC

【最大电流】:800mA(推荐)

【维氏硬度】:500~550

【压力(g/mm²)】:2.5g(Standard)

                            Adjustable by customer needs

【对位精度】:±4um

【针尖长度】:250±20um

【工作温度】:-20°C~130°C

【最大OD】:100um


【产品图片】:


DRAM探针卡


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